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Mechanism of current leakage through metal/n-GaN interfaces

Oyama, S. / Hashizume, T. / Hasegawa, H.

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Titel:

Mechanism of current leakage through metal/n-GaN interfaces

Beteiligte:

Oyama, S. (Autor:in) / Hashizume, T. (Autor:in) / Hasegawa, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 190 ; 322-325

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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