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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Conduction Mechanism of Leakage Current in Thermal Oxide on 4H-SiC

    Beteiligte:

    Sometani, M. (Autor:in) / Okamoto, D. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Ishimori, H. (Autor:in) / Takasu, S. (Autor:in) / Hatakeyama, T. (Autor:in) / Takei, M. (Autor:in) / Yonezawa, Y. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 579-582

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2014

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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