Strain relaxation induced by He-implantation at the Si1-xGex/Si(100) interface investigated by positron annihilation: Fid-Bau Portal

Strain relaxation induced by He-implantation at the Si1-xGex/Si(100) interface investigated by positron annihilation

Liszkay, L. / Kajcsos, Z. / Barthe, M. F. / Desgardin, P. / Hackbarth, T. / Herzog, H. J. / Hollander, B. / Mantl, S.

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Titel:

Strain relaxation induced by He-implantation at the Si1-xGex/Si(100) interface investigated by positron annihilation

Beteiligte:

Liszkay, L. (Autor:in) / Kajcsos, Z. (Autor:in) / Barthe, M. F. (Autor:in) / Desgardin, P. (Autor:in) / Hackbarth, T. (Autor:in) / Herzog, H. J. (Autor:in) / Hollander, B. (Autor:in) / Mantl, S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 194 ; 136-139

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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