H+ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si1-xGex on SiO2 during oxidation-induced Ge condensation process: Fid-Bau Portal

H+ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si1-xGex on SiO2 during oxidation-induced Ge condensation process

Sadoh, T. / Matsuura, R. / Ninomiya, M. / Nakamae, M. / Enokida, T. / Hagino, H. / Miyao, M.

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Titel:

H+ implantation-enhanced stress relaxation in c-Si1-xGex on SiO2 during oxidation-induced Ge condensation process

Beteiligte:

Sadoh, T. (Autor:in) / Matsuura, R. (Autor:in) / Ninomiya, M. (Autor:in) / Nakamae, M. (Autor:in) / Enokida, T. (Autor:in) / Hagino, H. (Autor:in) / Miyao, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 167-170

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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