Ab-initio Calculation of Si-K and Si-L ELNES Edges in an extended Inactive Defect Model of Crystalline Silicon: Fid-Bau Portal

Ab-initio Calculation of Si-K and Si-L ELNES Edges in an extended Inactive Defect Model of Crystalline Silicon

Chen, Y. / Mo, S.-D. / Kohyama, M. / Kohno, H. / Takeda, S. / Ching, W.-Y.

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Titel:

Ab-initio Calculation of Si-K and Si-L ELNES Edges in an extended Inactive Defect Model of Crystalline Silicon

Beteiligte:

Chen, Y. (Autor:in) / Mo, S.-D. (Autor:in) / Kohyama, M. (Autor:in) / Kohno, H. (Autor:in) / Takeda, S. (Autor:in) / Ching, W.-Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS TRANSACTIONS ; 43 ; 1430-1434

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1345-9678

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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