SIMS study of depth profiles of delta-doped boron/silicon alternating layers by low-energy ion beams: Fid-Bau Portal

SIMS study of depth profiles of delta-doped boron/silicon alternating layers by low-energy ion beams

Hayashi, S. / Takano, A. / Takenaka, H. / Homma, Y.

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Titel:

SIMS study of depth profiles of delta-doped boron/silicon alternating layers by low-energy ion beams

Beteiligte:

Hayashi, S. (Autor:in) / Takano, A. (Autor:in) / Takenaka, H. (Autor:in) / Homma, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 203-204 ; 298-301

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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