Vapor phase techniques for the fabrication of homoepitaxial layers of silicon carbide: process modeling and characterization: Fid-Bau Portal

Vapor phase techniques for the fabrication of homoepitaxial layers of silicon carbide: process modeling and characterization

Pons, M. / Baillet, F. / Blanquet, E. / Pernot, E. / Madar, R. / Chaussende, D. / Mermoux, M. / Di Coccio, L. / Ferret, P. / Feuillet, G.

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Pons, M. / Baillet, F. / Blanquet, E. / Pernot, E. / Madar, R. / Chaussende, D. / Mermoux, M. / Di Coccio, L. / Ferret, P. / Feuillet, G.

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Titel:

Vapor phase techniques for the fabrication of homoepitaxial layers of silicon carbide: process modeling and characterization

Beteiligte:

Pons, M. (Autor:in) / Baillet, F. (Autor:in) / Blanquet, E. (Autor:in) / Pernot, E. (Autor:in) / Madar, R. (Autor:in) / Chaussende, D. (Autor:in) / Mermoux, M. (Autor:in) / Di Coccio, L. (Autor:in) / Ferret, P. (Autor:in) / Feuillet, G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 212-213 ; 177-183

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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