Boron Doping during Vapor-Liquid-Solid Growth of Homoepitaxial 4H-SiC Layers: Fid-Bau Portal

Boron Doping during Vapor-Liquid-Solid Growth of Homoepitaxial 4H-SiC Layers

Soueidan, M. / Ferro, G. / Nsouli, B. / Habka, N. / Souliere, V. / Younes, G. / Zahzaman, K. / Bluet, J. M. / Monteil, Y.

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Titel:

Boron Doping during Vapor-Liquid-Solid Growth of Homoepitaxial 4H-SiC Layers

Beteiligte:

Soueidan, M. (Autor:in) / Ferro, G. (Autor:in) / Nsouli, B. (Autor:in) / Habka, N. (Autor:in) / Souliere, V. (Autor:in) / Younes, G. (Autor:in) / Zahzaman, K. (Autor:in) / Bluet, J. M. (Autor:in) / Monteil, Y. (Autor:in) / Wright, N.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2006 ; 65-68

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 556/557

Erscheinungsdatum:

01.01.2007

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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