Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures implanted with Ge+ ions: Fid-Bau Portal

Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures implanted with Ge+ ions

Avrutin, V. S. / Izyumskaya, N. F. / Vyatkin, A. F. / Zinenko, V. I. / Agafonov, Y. A. / Irzhak, D. V. / Roshchupkin, D. V. / Steinman, E. A. / Vdovin, V. I. / Yugova, T. G.

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Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures implanted with Ge+ ions

Avrutin, V. S. / Izyumskaya, N. F. / Vyatkin, A. F. / Zinenko, V. I. / Agafonov, Y. A. / Irzhak, D. V. / Roshchupkin, D. V. / Steinman, E. A. / Vdovin, V. I. / Yugova, T. G.

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Titel:

Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures implanted with Ge+ ions

Beteiligte:

Avrutin, V. S. (Autor:in) / Izyumskaya, N. F. (Autor:in) / Vyatkin, A. F. (Autor:in) / Zinenko, V. I. (Autor:in) / Agafonov, Y. A. (Autor:in) / Irzhak, D. V. (Autor:in) / Roshchupkin, D. V. (Autor:in) / Steinman, E. A. (Autor:in) / Vdovin, V. I. (Autor:in) / Yugova, T. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 100 ; 35-39

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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