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Strain relaxation of Ge-implanted silicon wafers

Xiao, Q. / Tu, H. / Zhou, Q. / Chang, Q.

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Titel:

Strain relaxation of Ge-implanted silicon wafers

Beteiligte:

Xiao, Q. (Autor:in) / Tu, H. (Autor:in) / Zhou, Q. (Autor:in) / Chang, Q. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 134 ; 159-164

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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