Properties of Nitrogen-Doped 4H-SiC Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport: Fid-Bau Portal

Properties of Nitrogen-Doped 4H-SiC Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport

Rost, H.-J. / Irmscher, K. / Doerschel, J. / Siche, D. / Schulz, D. / Wollweber, J.

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Titel:

Properties of Nitrogen-Doped 4H-SiC Single Crystals Grown by Physical Vapor Transport

Beteiligte:

Rost, H.-J. (Autor:in) / Irmscher, K. (Autor:in) / Doerschel, J. (Autor:in) / Siche, D. (Autor:in) / Schulz, D. (Autor:in) / Wollweber, J. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 91-94

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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