Control of Pendeo Epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrate: Fid-Bau Portal

Control of Pendeo Epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrate

Okui, Y. / Jacob, C. / Ohshima, S. / Nishino, S.

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Titel:

Control of Pendeo Epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrate

Beteiligte:

Okui, Y. (Autor:in) / Jacob, C. (Autor:in) / Ohshima, S. (Autor:in) / Nishino, S. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 209-212

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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