Pendeo Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Substrates: Fid-Bau Portal

Pendeo Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Substrates

Shoji, A. / Okui, Y. / Nishiguchi, T. / Ohshima, S. / Nishino, S.

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Titel:

Pendeo Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si Substrates

Beteiligte:

Shoji, A. (Autor:in) / Okui, Y. (Autor:in) / Nishiguchi, T. (Autor:in) / Ohshima, S. (Autor:in) / Nishino, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 257-260

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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