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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Correlation between Defects and Electrical Properties of 4H-SiC Based Schottky Diodes

    Beteiligte:

    Scaltrito, L. (Autor:in) / Porro, S. (Autor:in) / Giorgis, F. (Autor:in) / Mandracci, P. (Autor:in) / Cocuzza, M. (Autor:in) / Pirri, C. F. (Autor:in) / Ricciardi, C. (Autor:in) / Ferrero, S. (Autor:in) / Richieri, G. (Autor:in) / Sgorlon, C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 455-458

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2003

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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