Correlation between Leakage Current and Ion-Irradiation Induced Defects in 4H-SiC Schottky Diodes: Fid-Bau Portal

Correlation between Leakage Current and Ion-Irradiation Induced Defects in 4H-SiC Schottky Diodes

Raineri, V. / Roccaforte, F. / Libertino, S. / Ruggiero, A. / Massimino, V. / Calcagno, L.

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Titel:

Correlation between Leakage Current and Ion-Irradiation Induced Defects in 4H-SiC Schottky Diodes

Beteiligte:

Raineri, V. (Autor:in) / Roccaforte, F. (Autor:in) / Libertino, S. (Autor:in) / Ruggiero, A. (Autor:in) / Massimino, V. (Autor:in) / Calcagno, L. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1167-1170

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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