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Modelling of Radiation Response of p-Channel SiC MOSFETs

Lee, K. K. / Ohshima, T. / Itoh, H.

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Titel:

Modelling of Radiation Response of p-Channel SiC MOSFETs

Beteiligte:

Lee, K. K. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 761-764

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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