Characterisation of the High Temperature Performance of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes: Fid-Bau Portal

Characterisation of the High Temperature Performance of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

Blasciuc-Dimitriu, C. / Horsfall, A. B. / Vassilevski, K. V. / Johnson, C. M. / Wright, N. G. / O Neill, A. G.

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Titel:

Characterisation of the High Temperature Performance of 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

Beteiligte:

Blasciuc-Dimitriu, C. (Autor:in) / Horsfall, A. B. (Autor:in) / Vassilevski, K. V. (Autor:in) / Johnson, C. M. (Autor:in) / Wright, N. G. (Autor:in) / O Neill, A. G. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 823-826

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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