1kV 4H-SiC JBS Rectifiers Fabricated Using an AlN Capped Anneal: Fid-Bau Portal

1kV 4H-SiC JBS Rectifiers Fabricated Using an AlN Capped Anneal

Zhu, L. / Shanbhag, M. / Chow, T. P. / Jones, K. A. / Ervin, M. H. / Shah, P. B. / Derenge, M. A. / Vispute, R. D. / Venkatesan, T. / Agarwal, A.

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Titel:

1kV 4H-SiC JBS Rectifiers Fabricated Using an AlN Capped Anneal

Beteiligte:

Zhu, L. (Autor:in) / Shanbhag, M. (Autor:in) / Chow, T. P. (Autor:in) / Jones, K. A. (Autor:in) / Ervin, M. H. (Autor:in) / Shah, P. B. (Autor:in) / Derenge, M. A. (Autor:in) / Vispute, R. D. (Autor:in) / Venkatesan, T. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 843-846

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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