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4H-SiC DMOSFETs Processed Using Graphite Capped Implant Activation Anneal

Fedison, J. B. / Cowen, C. S. / Garrett, J. L. / Downey, E. T. / Kretchmer, J. W. / Klinger, R. L. / Peters, H. C. / Tucker, J. B. / Matocha, K. S. / Rowland, L. B.

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Titel:

4H-SiC DMOSFETs Processed Using Graphite Capped Implant Activation Anneal

Beteiligte:

Fedison, J. B. ( Autor:in ) / Cowen, C. S. ( Autor:in ) / Garrett, J. L. ( Autor:in ) / Downey, E. T. ( Autor:in ) / Kretchmer, J. W. ( Autor:in ) / Klinger, R. L. ( Autor:in ) / Peters, H. C. ( Autor:in ) / Tucker, J. B. ( Autor:in ) / Matocha, K. S. ( Autor:in ) / Rowland, L. B. ( Autor:in ) ... [mehr]

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 1265-1268

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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