Fabrication and Characterisation of High-Voltage SiC-Thyristors: Fid-Bau Portal

Fabrication and Characterisation of High-Voltage SiC-Thyristors

Zorngiebel, V. / Scharnholz, S. / Spahn, E. / Brosselard, P. / Arssi, N. / Chante, J.-P. / Planson, D. / Raynaud, C. / Spangenberg, B. / Kurz, H.

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Titel:

Fabrication and Characterisation of High-Voltage SiC-Thyristors

Beteiligte:

Zorngiebel, V. (Autor:in) / Scharnholz, S. (Autor:in) / Spahn, E. (Autor:in) / Brosselard, P. (Autor:in) / Arssi, N. (Autor:in) / Chante, J.-P. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Spangenberg, B. (Autor:in) / Kurz, H. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 883-886

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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