Modification and characterization of thin silicon gate oxides using conducting atomic force microscopy: Fid-Bau Portal

Modification and characterization of thin silicon gate oxides using conducting atomic force microscopy

Kremmer, S. / Peissl, S. / Teichert, C. / Kuchar, F. / Hofer, H.

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Titel:

Modification and characterization of thin silicon gate oxides using conducting atomic force microscopy

Beteiligte:

Kremmer, S. (Autor:in) / Peissl, S. (Autor:in) / Teichert, C. (Autor:in) / Kuchar, F. (Autor:in) / Hofer, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 102 ; 88-93

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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