Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Cathodoluminescence of GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by MOCVD

    Neue Suche nach: Goldys, E. M.
    Neue Suche nach: Butcher, K. S.
    Neue Suche nach: Tansley, T. L.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Cathodoluminescence of GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by MOCVD

    Neue Suche nach: Goldys, E. M.
    Neue Suche nach: Butcher, K. S.
    Neue Suche nach: Tansley, T. L.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Cathodoluminescence of GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by MOCVD

    Neue Suche nach: Goldys, E. M.
    Neue Suche nach: Butcher, K. S.
    Neue Suche nach: Tansley, T. L.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Cathodoluminescence of GaSb/GaAs self-assembled quantum dots grown by MOCVD

    Beteiligte:

    Goldys, E. M. (Autor:in) / Butcher, K. S. (Autor:in) / Tansley, T. L. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS LETTERS ; 58 ; 80-83

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0167-577X

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1105 / 530

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Cathodoluminescence characteristics of InGaN/GaN quantum wells grown by MOCVD

    Kim, H. M. / Kang, T. W. | British Library Online Contents | 2001

    Self organized defect free InAs/GaAs and InAs/InGaAs/GaAs quantum dots with high lateral density grown by MOCVD

    Heinrichsdorff, F. / Krost, A. / Bimberg, D. et al. | British Library Online Contents | 1998

    Effect of an in-situ thermal annealing on the structural properties of self-assembled GaSb/GaAs quantum dots

    Fernández-Delgado, N. / Herrera, M. / Chisholm, M.F. et al. | British Library Online Contents | 2017

    Effect of an in-situ thermal annealing on the structural properties of self-assembled GaSb/GaAs quantum dots

    Fernández-Delgado, N. / Herrera, M. / Chisholm, M.F. et al. | British Library Online Contents | 2017

    GaSb/AlGaSb Compound Semiconductors Grown by MOCVD for Optoelectronic Applications

    Ramelan, A. H. / Yahya, I. / Prasodjo et al. | British Library Online Contents | 2006

    Nach oben