Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates: Fid-Bau Portal

Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates

Dong, H. W. / Zhao, Y. W. / Li, J. M.

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Titel:

Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates

Beteiligte:

Dong, H. W. (Autor:in) / Zhao, Y. W. (Autor:in) / Li, J. M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 6 ; 215-218

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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