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    Titel:

    Proposal of a multi-layer channel MOSFET: the application of selective etching for Si/SiGe stacked layers

    Beteiligte:

    Sasaki, D. (Autor:in) / Ohmi, S. (Autor:in) / Sakuraba, M. (Autor:in) / Murota, J. (Autor:in) / Sakai, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 270-273

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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