Effect of Passivation on Device Stability and Gate Reverse Characteristics on 4H-SiC MESFETs: Fid-Bau Portal

Effect of Passivation on Device Stability and Gate Reverse Characteristics on 4H-SiC MESFETs

Kerlain, A. / Morvan, E. / Dua, C. / Caillas, N. / Brylinski, C.

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Titel:

Effect of Passivation on Device Stability and Gate Reverse Characteristics on 4H-SiC MESFETs

Beteiligte:

Kerlain, A. (Autor:in) / Morvan, E. (Autor:in) / Dua, C. (Autor:in) / Caillas, N. (Autor:in) / Brylinski, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1177-1180

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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