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    Titel:

    Hall Effect Measurements in SiC Buried-Channel MOS Devices

    Beteiligte:

    Saks, N. S. (Autor:in) / Ryu, S. H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1287-1292

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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