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Investigation of SiO~2/SiC Interface using Positron Annihilation Technique

Maekawa, M. / Kawasuso, A. / Yoshikawa, M. / Ichimiya, A.

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Titel:

Investigation of SiO~2/SiC Interface using Positron Annihilation Technique

Beteiligte:

Maekawa, M. (Autor:in) / Kawasuso, A. (Autor:in) / Yoshikawa, M. (Autor:in) / Ichimiya, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1301-1304

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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