Structural and Electronic Properties of the 6H-SiC(0001)/Al~2O~3 Interface Prepared by Atomic Layer Deposition: Fid-Bau Portal

Structural and Electronic Properties of the 6H-SiC(0001)/Al~2O~3 Interface Prepared by Atomic Layer Deposition

Seyller, T. / Gao, K. / Ley, L. / Ciobanu, F. / Pensl, G. / Tadich, A. / Riley, J. D. / Leckey, R. C. G.

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Titel:

Structural and Electronic Properties of the 6H-SiC(0001)/Al~2O~3 Interface Prepared by Atomic Layer Deposition

Beteiligte:

Seyller, T. (Autor:in) / Gao, K. (Autor:in) / Ley, L. (Autor:in) / Ciobanu, F. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Tadich, A. (Autor:in) / Riley, J. D. (Autor:in) / Leckey, R. C. G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1369-1372

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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