Structural and electrical properties of ternary Ru-AlN thin films prepared by plasma-enhanced atomic layer deposition: Fid-Bau Portal

Structural and electrical properties of ternary Ru-AlN thin films prepared by plasma-enhanced atomic layer deposition

Shin, Y. R. / Kwack, W. S. / Park, Y. C. / Kim, J. H. / Shin, S. Y. / Moon, K. I. / Lee, H. W. / Kwon, S. H.

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Titel:

Structural and electrical properties of ternary Ru-AlN thin films prepared by plasma-enhanced atomic layer deposition

Beteiligte:

Shin, Y. R. (Autor:in) / Kwack, W. S. (Autor:in) / Park, Y. C. (Autor:in) / Kim, J. H. (Autor:in) / Shin, S. Y. (Autor:in) / Moon, K. I. (Autor:in) / Lee, H. W. (Autor:in) / Kwon, S. H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS RESEARCH BULLETIN ; 47 ; 790-793

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0025-5408

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11 / 620

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