4H-SiC MOSFETs with a Novel Channel Structure (Sandwiched Channel MOSFET): Fid-Bau Portal

4H-SiC MOSFETs with a Novel Channel Structure (Sandwiched Channel MOSFET)

Kaido, J. / Kimoto, T. / Suda, J. / Matsunami, H.

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Titel:

4H-SiC MOSFETs with a Novel Channel Structure (Sandwiched Channel MOSFET)

Beteiligte:

Kaido, J. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Suda, J. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1409-1412

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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