Growth of GaN Films on Porous 4H-SiC Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition: Fid-Bau Portal

Growth of GaN Films on Porous 4H-SiC Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

Jeong, J. K. / Song, H. K. / Um, M. Y. / Kim, H. J. / Seo, H. C. / Yoon, E. / Hwang, C. S.

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Titel:

Growth of GaN Films on Porous 4H-SiC Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

Beteiligte:

Jeong, J. K. (Autor:in) / Song, H. K. (Autor:in) / Um, M. Y. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Seo, H. C. (Autor:in) / Yoon, E. (Autor:in) / Hwang, C. S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1597-1600

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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