Excitons bound to nitrogen complexes in heavily doped GaAs1-xNx grown on GaAs misoriented substrates: Fid-Bau Portal

Excitons bound to nitrogen complexes in heavily doped GaAs1-xNx grown on GaAs misoriented substrates

Bousbih, F. / Bouzid, S. B. / Chtourou, R. / Harmand, J. C.

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Titel:

Excitons bound to nitrogen complexes in heavily doped GaAs1-xNx grown on GaAs misoriented substrates

Beteiligte:

Bousbih, F. (Autor:in) / Bouzid, S. B. (Autor:in) / Chtourou, R. (Autor:in) / Harmand, J. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 112 ; 50-53

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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