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    Titel:

    Effect of deposition conditions and annealing on W Schottky contacts on n-GaN

    Beteiligte:

    Mehandru, R. (Autor:in) / Kang, S. (Autor:in) / Kim, S. (Autor:in) / Ren, F. (Autor:in) / Kravchenko, I. (Autor:in) / Lewis, W. (Autor:in) / Pearton, S. J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 95-98

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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