Interfacial reactions of ultrahigh-vacuum-deposited Cu thin films on Si, Ge and on epitaxial Si-Ge layers on Si and Ge: Fid-Bau Portal

Interfacial reactions of ultrahigh-vacuum-deposited Cu thin films on Si, Ge and on epitaxial Si-Ge layers on Si and Ge

Chen, L. J. / Liu, C. S. / Lai, J. B.

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Titel:

Interfacial reactions of ultrahigh-vacuum-deposited Cu thin films on Si, Ge and on epitaxial Si-Ge layers on Si and Ge

Beteiligte:

Chen, L. J. (Autor:in) / Liu, C. S. (Autor:in) / Lai, J. B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 143-156

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

14 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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