Porous extreme low k (ELk) dielectrics using a PECVD porogen approach: Fid-Bau Portal

Porous extreme low k (ELk) dielectrics using a PECVD porogen approach

Favennec, L. / Jousseaume, V. / Rouessac, V. / Fusalba, F. / Durand, J. / Passemard, G.

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Titel:

Porous extreme low k (ELk) dielectrics using a PECVD porogen approach

Beteiligte:

Favennec, L. (Autor:in) / Jousseaume, V. (Autor:in) / Rouessac, V. (Autor:in) / Fusalba, F. (Autor:in) / Durand, J. (Autor:in) / Passemard, G. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 7 ; 277-282

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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