Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1-xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications: Fid-Bau Portal

Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1-xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications

Radamson, H. H. / Hallstedt, J. / Suvar, E. / Menon, C. / Ostling, M.

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Titel:

Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1-xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications

Beteiligte:

Radamson, H. H. (Autor:in) / Hallstedt, J. (Autor:in) / Suvar, E. (Autor:in) / Menon, C. (Autor:in) / Ostling, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 25-30

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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