Advances in surfactant-mediated growth of germanium on silicon: high-quality p-type Ge films on Si: Fid-Bau Portal

Advances in surfactant-mediated growth of germanium on silicon: high-quality p-type Ge films on Si

Wietler, T. F. / Ott, A. / Bugiel, E. / Hofmann, K. R.

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Titel:

Advances in surfactant-mediated growth of germanium on silicon: high-quality p-type Ge films on Si

Beteiligte:

Wietler, T. F. (Autor:in) / Ott, A. (Autor:in) / Bugiel, E. (Autor:in) / Hofmann, K. R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 73-77

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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