High-frequency SiGe:C HBTs with elevated extrinsic base regions: Fid-Bau Portal

High-frequency SiGe:C HBTs with elevated extrinsic base regions

Rucker, H. / Heinemann, B. / Barth, R. / Knoll, D. / Schley, P. / Scholz, R. / Tillack, B. / Winkler, W.

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Titel:

High-frequency SiGe:C HBTs with elevated extrinsic base regions

Beteiligte:

Rucker, H. (Autor:in) / Heinemann, B. (Autor:in) / Barth, R. (Autor:in) / Knoll, D. (Autor:in) / Schley, P. (Autor:in) / Scholz, R. (Autor:in) / Tillack, B. (Autor:in) / Winkler, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 279-282

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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