Selective epitaxial growth of SiGe:C for high speed HBTs: Fid-Bau Portal

Selective epitaxial growth of SiGe:C for high speed HBTs

Schafer, H. / Bock, J. / Stengl, R. / Knapp, H. / Aufinger, K. / Wurzer, M. / Boguth, S. / Rest, M. / Schreiter, R. / Meister, T. F.

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Schafer, H. / Bock, J. / Stengl, R. / Knapp, H. / Aufinger, K. / Wurzer, M. / Boguth, S. / Rest, M. / Schreiter, R. / Meister, T. F.

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Titel:

Selective epitaxial growth of SiGe:C for high speed HBTs

Beteiligte:

Schafer, H. (Autor:in) / Bock, J. (Autor:in) / Stengl, R. (Autor:in) / Knapp, H. (Autor:in) / Aufinger, K. (Autor:in) / Wurzer, M. (Autor:in) / Boguth, S. (Autor:in) / Rest, M. (Autor:in) / Schreiter, R. (Autor:in) / Meister, T. F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 18-23

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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