Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs: Fid-Bau Portal

Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs

Chang, S. T. / Liu, Y. H. / Lee, M. H. / Lu, S. C. / Tsai, M. J.

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Titel:

Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs

Beteiligte:

Chang, S. T. (Autor:in) / Liu, Y. H. (Autor:in) / Lee, M. H. (Autor:in) / Lu, S. C. (Autor:in) / Tsai, M. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 289-294

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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