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    Titel:

    Influence of Substrate Roughness on the Formation of Defects in 3C-SiC Grown on Si(110) Substrate by Hetero-Epitaxial CVD Method

    Beteiligte:

    Isshiki, T. (Autor:in) / Nakamura, M. (Autor:in) / Nishiguchi, T. (Autor:in) / Nishio, K. (Autor:in) / Ohshima, S. (Autor:in) / Nishino, S. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 185-188

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2005

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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