Concentration of N and P in SiC Investigated by Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS): Fid-Bau Portal

Concentration of N and P in SiC Investigated by Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS)

Acarturk, T. / Semmelroth, K. / Pensl, G. / Saddow, S. E. / Starke, U.

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Titel:

Concentration of N and P in SiC Investigated by Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS)

Beteiligte:

Acarturk, T. (Autor:in) / Semmelroth, K. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Saddow, S. E. (Autor:in) / Starke, U. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 453-456

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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