4H-SiC DMOSFETs for High Speed Switching Applications: Fid-Bau Portal

4H-SiC DMOSFETs for High Speed Switching Applications

Ryu, S. H. / Krishnaswami, S. / Das, M. / Richmond, J. / Agarwal, A. / Palmour, J. / Scofield, J.

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Titel:

4H-SiC DMOSFETs for High Speed Switching Applications

Beteiligte:

Ryu, S. H. (Autor:in) / Krishnaswami, S. (Autor:in) / Das, M. (Autor:in) / Richmond, J. (Autor:in) / Agarwal, A. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Scofield, J. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 797-800

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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