1700V, 20A 4H-SiC DMOSFETs Optimized for High Temperature Operation: Fid-Bau Portal

1700V, 20A 4H-SiC DMOSFETs Optimized for High Temperature Operation

Hull, B.A. / Ryu, S.H. / Zhang, J. / Jonas, C. / O Loughlin, M.J. / Callanan, R. / Palmour, J.

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Titel:

1700V, 20A 4H-SiC DMOSFETs Optimized for High Temperature Operation

Beteiligte:

Hull, B.A. (Autor:in) / Ryu, S.H. (Autor:in) / Zhang, J. (Autor:in) / Jonas, C. (Autor:in) / O Loughlin, M.J. (Autor:in) / Callanan, R. (Autor:in) / Palmour, J. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 633-636

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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