Fabrication of 1.2kV, 100A, 4H-SiC(0001) and (000-1) Junction Barrier Schottky Diodes with Almost Same Schottky Barrier Height: Fid-Bau Portal

Fabrication of 1.2kV, 100A, 4H-SiC(0001) and (000-1) Junction Barrier Schottky Diodes with Almost Same Schottky Barrier Height

Kinoshita, A. / Ohyanagi, T. / Yatsuo, T. / Fukuda, K. / Okumura, H. / Arai, K.

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Titel:

Fabrication of 1.2kV, 100A, 4H-SiC(0001) and (000-1) Junction Barrier Schottky Diodes with Almost Same Schottky Barrier Height

Beteiligte:

Kinoshita, A. (Autor:in) / Ohyanagi, T. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P. / Krieger, M. / Pensl, G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 893-896

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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