Steady-State and Transient Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes: Fid-Bau Portal

Steady-State and Transient Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes

Ivanov, P. A. / Levinshtein, M. E. / Mnatsakanov, T. T. / Palmour, J. W. / Singh, R. / Irvin, K. G. / Das, M.

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Titel:

Steady-State and Transient Characteristics of High-Voltage 4H-SiC Junction Diodes

Beteiligte:

Ivanov, P. A. (Autor:in) / Levinshtein, M. E. (Autor:in) / Mnatsakanov, T. T. (Autor:in) / Palmour, J. W. (Autor:in) / Singh, R. (Autor:in) / Irvin, K. G. (Autor:in) / Das, M. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 973-976

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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