High temperature and high frequency characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with photochemical vapor deposition SiO2 layer: Fid-Bau Portal

High temperature and high frequency characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with photochemical vapor deposition SiO2 layer

Wang, C. K. / Chuang, R. W. / Chang, S. J. / Su, Y. K. / Wei, S. C. / Lin, T. K. / Ko, T. K. / Chiou, Y. Z. / Tang, J. J.

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Wang, C. K. / Chuang, R. W. / Chang, S. J. / Su, Y. K. / Wei, S. C. / Lin, T. K. / Ko, T. K. / Chiou, Y. Z. / Tang, J. J.

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Titel:

High temperature and high frequency characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with photochemical vapor deposition SiO2 layer

Beteiligte:

Wang, C. K. (Autor:in) / Chuang, R. W. (Autor:in) / Chang, S. J. (Autor:in) / Su, Y. K. (Autor:in) / Wei, S. C. (Autor:in) / Lin, T. K. (Autor:in) / Ko, T. K. (Autor:in) / Chiou, Y. Z. (Autor:in) / Tang, J. J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 119 ; 25-28

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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