Observation on photoluminescence evolution in 300 keV self-ion implanted and annealed silicon: Fid-Bau Portal

Observation on photoluminescence evolution in 300 keV self-ion implanted and annealed silicon

Yang, Y. / Bao, J.M. / Jin, Y.X. / Li, L. / Yang, J. / Wang, C.

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Titel:

Observation on photoluminescence evolution in 300 keV self-ion implanted and annealed silicon

Beteiligte:

Yang, Y. (Autor:in) / Bao, J.M. (Autor:in) / Jin, Y.X. (Autor:in) / Li, L. (Autor:in) / Yang, J. (Autor:in) / Wang, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS TECHNOLOGY ; 27 ; 130-132

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1066-7857

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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