Gate-recessed delta-doping enhancement-mode Al0.2Ga0.8As/In0.15Ga0.85As PHEMTs using a new citric buffer etchant: Fid-Bau Portal

Gate-recessed delta-doping enhancement-mode Al0.2Ga0.8As/In0.15Ga0.85As PHEMTs using a new citric buffer etchant

Yarn, K. F. / Liao, C. I. / Wang, Y. H. / Houng, M. P. / Chure, M. C.

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Titel:

Gate-recessed delta-doping enhancement-mode Al0.2Ga0.8As/In0.15Ga0.85As PHEMTs using a new citric buffer etchant

Beteiligte:

Yarn, K. F. (Autor:in) / Liao, C. I. (Autor:in) / Wang, Y. H. (Autor:in) / Houng, M. P. (Autor:in) / Chure, M. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 550-554

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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