Effect of rapid thermal annealing observed by photoluminescence measurement in GaAs1-xNx layers: Fid-Bau Portal

Effect of rapid thermal annealing observed by photoluminescence measurement in GaAs1-xNx layers

Bousbih, F. / Bouzid, S. B. / Hamdouni, A. / Chtourou, R. / Harmand, J. C.

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Titel:

Effect of rapid thermal annealing observed by photoluminescence measurement in GaAs1-xNx layers

Beteiligte:

Bousbih, F. (Autor:in) / Bouzid, S. B. (Autor:in) / Hamdouni, A. (Autor:in) / Chtourou, R. (Autor:in) / Harmand, J. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 123 ; 211-215

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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